Компания Samsung, как и Intel, сталкивается с трудностями на полупроводниковом рынке, поскольку её разработки уступают решениям TSMC. Это привело к приостановке строительства крупной фабрики в США, стоимость которой составляет 44 миллиарда долларов.

Создано DALL-E
Речь идет о полупроводниковом заводе в Техасе. Samsung начала строительство фабрики в Тейлоре в 2022 году, вложив первоначально 17 миллиардов долларов. К 2024 году было принято решение увеличить инвестиции до 44 миллиардов, добавив современное производство и расширив НИОКР. В марте 2024 года объект был готов на 92%. Однако теперь Samsung предпочла отложить введение завода в эксплуатацию.
Хотя точная причина задержки не уточняется, многочисленные источники указывают на недостаток спроса. Первоначально планировалось, что завод Taylor будет выпускать чипы по 4-нанометровому техпроцессу, но позднее технологию обновили до 2 нм, чтобы конкурировать с TSMC и Intel.
Руководитель цепочки поставок сообщил о слабом спросе на изначально запланированный 4-нм процесс. Решения, разработанные Samsung несколько лет назад, уже не соответствуют современным требованиям клиентов. Перестройка завода станет сложной и затратной задачей, поэтому компания пока выжидает, хотя и заявила о планах модернизации производства под 2-нм техпроцесс. Это, безусловно, займет много времени и потребует значительных капиталовложений.
Источник: iXBT


_large.jpg)
