Китайские источники сообщили подробности о новом смартфоне компании Xiaomi, который будет относиться к среднему ценовому диапазону. Предполагается, что он может стать частью линеек Redmi K40 или Xiaomi Mi 11.
Информация была обнаружена в исходном коде новой версии MIUI для смартфона Xiaomi Mi 11. Новинка будет построена на базе однокристальной системы Snapdragon 775G, а выход устройства состоится в первом квартале этого года.
Snapdragon 775G будет производиться по нормам 5-нанометрового технологического процесса и оснащена ядрами Cortex-A78. Эта платформа набирает около 530 тыс. баллов в популярном тестовом приложении AnTuTu. Эта платформа поддерживает до 12 ГБ оперативной памяти LPDDR5, флэш-память UFS 3.1 и дисплеи с частотой обновления изображения 120 Гц.
Источники добавляют, что грядущий смартфон оснащён OLED-панелью с одним отверстием для фронтальной камеры. Ожидается, что основная камера будет 64-мегапиксельной и предложит пользователям 5-кратный оптический зум. Ёмкость аккумулятора не сообщается, но говорится о поддержке технологии быстрой зарядки.
Xiaomi уже подтвердила, что анонсирует серию смартфонов Redmi K40 в этом месяце. Линейка будет включать, как минимум, две модели: Redmi K40 и флагманскую Redmi K40 Pro.
Вчера вечером Ван Хуа из отдела по связям с общественностью Xiaomi заявил, что конференцию, посвящённую презентации линейки Redmi K40 проводить не нужно, так как смартфон настолько привлекательный, что его купят и так.
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов