Исследователи из Новосибирского государственного университета (НГУ) разработали инновационные материалы на основе кремний-германиевых стекол, которые потенциально могут стать основой памяти нового поколения. Эти материалы предназначены для применения в мемристорах — передовых элементах памяти, которые превосходят современные флеш-памяти, использующиеся в мобильных устройствах, компьютерах и USB-накопителях, по множеству характеристик.
Мемристоры, разработанные в стенах НГУ, способны значительно увеличить количество циклов записи и удаления данных, сохранять большее количество информации и функционировать быстрее, чем текущие флеш-памяти. В отличие от флеш-памяти, которая достигла своих предельных возможностей, мемристоры открывают совершенно новые горизонты для технологии хранения данных, что делает устройства, оснащенные этой памятью, более надежными, долговечными и производительными.
Научная группа НГУ стала первой в мировом масштабе, которая обнаружила уникальный «эффект памяти» в кремний-германиевых стеклах и исследовала их электрические и световые свойства. В перспективе исследователи планируют продолжить углубленное изучение, чтобы оптимизировать параметры мемристоров без необходимости создания их физических моделей.
Источник: iXBT
