Пока компания Samsung приступила к серийному выпуску 3-гигабайтных микросхем GDDR7 с эффективной частотой 28 ГГц и тестирует образцы на 36 ГГц, Hynix готовит к демонстрации ещё более высокоскоростную память.
На конференции ISSCC, которая пройдёт в феврале 2026 года, обещают представить сразу несколько прорывных решений в области памяти. Одна из главных новинок — 3-гигабайтный чип GDDR7 от Hynix с эффективной частотой передачи данных 48 ГГц. Для сравнения: современные графические ускорители серии RTX 50 оснащаются модулями с частотой лишь 28–30 ГГц.
Разумеется, пока это лишь демонстрационный вариант, и о сроках выхода подобных чипов в коммерческих продуктах ничего не сообщается. Вероятно, их внедрят в будущей линейке RTX 60. При этом 128-битная шина в сочетании с такой скоростью передачи обеспечит пропускную способность, сравнимую с 256-битными решениями на 24 ГГц — и это уже весьма впечатляющий показатель.
Кроме того, в рамках мероприятия представят новые модули оперативной памяти LPDDR6-14400, которые по скорости заметно превзойдут существующие стандарты.
Samsung же намерена продемонстрировать свои исследования в области HBM4. Стек объёмом 36 ГБ обещает достигать пропускной способности до 3,3 ТБ/с на каждый модуль.
Источник: iXBT
_large.jpg "Xiaomi продлила регистрацию товарных знаков Xiaomi и Xiaomi YU в России до конца 2034 года")