Micron сообщила об очередном рубеже, который покорился инженерам компании, работающим над высокоскоростной графической памятью. Они смогли увеличить скорость фирменных чипов GDDR5X до 16 Гбит/с на контакт, обеспечив тем самым 60-процентный прирост пропускной способности по сравнению с первыми чипами GDDR5X, которые пришли на рынок всего год назад. Следует напомнить, что память типа GDDR5X дебютировала в графических ускорителях NVIDIA GeForce 1080; скорость применяющейся в них памяти составляет 10 Гбит/с на контакт.
Изначально память типа GDDR5X была предложена как временное решение на пути перехода индустрии к перспективной GDDR6. Её производством занимается лишь Micron, однако компании удалось добиться немалых успехов в её внедрении благодаря тому, что GDDR5X была выбрана NVIDIA для флагманских ускорителей. И позднее этот стандарт был даже принят JEDEC, получив статус «официального» типа графической памяти. Надо сказать, что по спецификации JEDEC скорости GDDR5X могут доходить до 14 Гбит/с на контакт, однако к настоящему времени в существующих графических картах можно встретить лишь память со скоростью 11,4 Гбит/с на контакт – она используется, в частности, в NVIDIA Titan Xp. Однако в следующих поколениях флагманских ускорителей вполне уместно ожидать использования и более скоростной памяти, вероятнее всего, со скоростью 14 Гбит/с на контакт.
Достижение же для GDDR5X пропускной способности в 16 Гбит/с на контакт, о котором говорит Micron, пока не означает, что такая память готова к массовому производству. Результат получен лишь в лабораторных условиях в исследовательском центре в Мюнхене. Причём, применённая методика, фактически состояла в тщательном отборе наиболее удачных чипов из большой партии серийных микросхем.
Будет ли компания предпринимать попытки максимального повышения частоты для серийно выпускаемой GDDR5X, сказать тяжело. Дело в том, что в не столь отдалённой перспективе на первый план должна выйти графическая память следующего стандарта, GDDR6, которую будет выпускать уже не только Micron, но и другие компании – Samsung и SK Hynix. И хотя для GDDR6 заявляются схожие скоростные ориентиры, как и для GDDR5X (до 16 Гбит/с), такая память будет обладать рядом иных преимуществ. Среди них в первую очередь стоит отметить возможность выпуска полупроводниковых кристаллов удвоенной ёмкости – до 16 Гбит; двухканальный интерфейс; а также новую 180-контактную упаковку увеличенной площади 14 x 12 мм, применение которой должно снизить электромагнитные наводки.
И даже сама Micron, говоря об успехах в разгоне своей GDDR5X, отмечает, что они являются показателем готовности к переходу на выпуск скоростной GDDR6-памяти, который компания планирует осуществить в самом начале 2018 года. Примерно такого же графика старта производства GDDR6 придерживается и SK Hynix.
Стоит отметить, что при использовании шины шириной 384 бит память со скоростью 16 Гбит/с на контакт может обеспечить пропускную способность до 768 Гбайт/с. И это – примерно в полтора раза выше пропускной способности HBM2-памяти перспективных ускорителей AMD Radeon RX Vega. Превзойти же текущие показатели пропускной способности GDDR5X/GDDR6 со стековой памятью можно, лишь используя четыре стека HBM2, – в этом случае полоса пропускания может доходить до 1 Тбайт/с, но такие конфигурации обойдутся значительно дороже.
Источник: 3DNews
