Южнокорейский гигант Samsung Electronics намерен освоить производство по 1-нанометровым нормам, которые в индустрии нередко называют «технологией мечты», к 2030 году. Как сообщает издание Korea Economic Daily, ссылаясь на собственные источники, компания рассматривает этот этап как решающий фактор в конкурентной борьбе с TSMC, рассчитывая с его помощью закрепить за собой статус лидера в сегменте передовых полупроводниковых решений.
Изображение: WCCF/Gemini
Фундаментальным отличием грядущего 1-нм техпроцесса станет переход на архитектуру Forksheet. В то время как актуальные 2-нм разработки Samsung базируются на структуре GAA (Gate-All-Around), в следующем поколении планируется внедрение специальных изолирующих барьеров между компонентами. Такое решение позволит добиться более плотной компоновки элементов на кристалле, что, по сути, открывает путь к значительному увеличению числа транзисторов при сохранении прежних физических размеров чипа.
Параллельно с амбициозными планами на будущее Samsung форсирует развитие 2-нанометровой линейки. Инженеры работают над специализированными версиями узла, такими как SF2T — этот процесс оптимизирован для ИИ-чипов Tesla AI6, производство которых должно стартовать в 2027 году на американском заводе компании в Тейлоре. Кроме того, в ближайшей перспективе значатся модификации SF2P (ее внедрение в сегмент мобильных процессоров начнется уже в текущем году) и SF2P+, запуск которой намечен на 2025 год.
По данным отраслевых аналитиков, Samsung уже достигла существенного прогресса в отладке линий: показатель выхода годных кристаллов для текущего 2-нанометрового техпроцесса уже преодолел отметку в 60%.
Источник: iXBT
