Ассоциация JEDEC, представляющая все отрасли электронной индустрии, обновила спецификации стандарта памяти типа HBM (High Bandwidth Memory). Новый стандарт подразумевает более высокую пропускную способность и увеличенный объёма памяти.
Стандарт JESD235B теперь предполагает, что стеки памяти типа HBM могут быть сформированы из 2, 4, 8 или 12 слоёв, что позволяет получить общий объём памяти кристаллов от 1 до 24 ГБ. Каждый кристалл обладает объёмом до 2 ГБ. Предыдущая версия стандарта была рассчитана на максимальный объём памяти в 16 ГБ.
Пропускная способность при этом увеличила с 2 до 2.4 Гбит/с. В этом случае общая пропускная способность одного стека памяти, подключённого к 1024-битной шине, достигает 307 Гбайт/с. Ранее этот показатель составлял 256 Гбайт/с.
Источник
