Компании IBM и Samsung Electronics совместно объявили о прорыве в разработке полупроводниковых технологий, основанном на использовании новой вертикальной транзисторной архитектуры, которая открывает путь к масштабированию за пределы наноуровня и имеет потенциал значиетельного снижения энергопотребления по сравнению с транзисторами FinFET.
Закон Мура, согласно которому количество транзисторов в микросхемах примерно удваивается каждые два года, быстро приближается к тому, что считается непреодолимым препятствием.
Исторически транзисторы проектировались так, чтобы «лежать» на поверхности полупроводникового кристалла, при этом электрический ток течет через в горизонтальном направлении. Новые транзисторы, получившие название Vertical Transport Field Effect Transistors или VTFET, формируются перпендикулярно поверхности кристалла, и ток в них течет вверх или вниз.
Процесс VTFET устраняет многие препятствия на пути дальнейшему повышению производительности степени интеграции. Он также касается контактов транзисторов, позволяя получить больший ток с меньшими потерями энергии. В целом новая конструкция нацелена на двукратное улучшение производительности или на сокращение энергопотребления на 85% по сравнению с FinFET.
В пресс-релизе, посвященном прорыву, отмечено, что глобальный дефицит полупроводниковой продукции «подчеркнул критически важную роль инвестиций в исследования и разработки микросхем, а также важность микросхем во всем: от вычислений до бытовой техники, устройств связи, транспортных систем и критически важной инфраструктур».
Разработка была выполнена специалистами комплекса Albany Nanotech Complex, который назван «ведущей в мире экосистемой для исследований в области полупроводников, создающей мощный поток инноваций, помогая удовлетворить потребности производства и ускорить рост мировой индустрии микросхем».
Источник: iXBT
