Научный коллектив под руководством профессора Ёнгука Кима из южнокорейского института DGIST при участии коллег из KAIST представил инновационную концепцию запоминающих устройств для ультратонкой электроники. Исследователи спроектировали гетероструктуру, в которой слой гексагонального нитрида бора (hBN) интегрирован между графеном и хлоридом рутения (α-RuCl3).
В этой многослойной конфигурации на границах разделов фаз возникают спонтанные электрические диполи. Возможность управления их ориентацией позволяет использовать систему для надежной записи данных. По принципу действия технология сопоставима с классическими сегнетоэлектриками, однако она лишена их архитектурных и эксплуатационных недостатков.
Экспериментальные данные подтвердили работоспособность прототипа при экстремальном охлаждении до −243°C (30 K). Устройство продемонстрировало впечатляющую энергонезависимость, сохраняя записанную информацию более пяти месяцев без внешнего питания. Процесс переключения состояний инициируется исключительно электрическими импульсами и не подвержен влиянию магнитных полей, что обеспечивает высокую стабильность и минимизирует энергопотребление.
Данный прорыв имеет ключевое значение для проектирования перспективных систем памяти, ориентированных на квантовые вычисления и создание электроники с предельно низким током потребления.
Источник: iXBT
