Ученые из Фуданьского университета в Китае разработали прототип ультрабыстрой флеш-памяти PoX, которая может записывать данные со скоростью один бит за 400 пикосекунд. Для этого они воспользовались графеновым каналом с двухмерной структурой Дирака, а оптимизацию процесса записи осуществили с помощью алгоритмов искусственного интеллекта.
PoX значительно обгоняет по скорости традиционные виды памяти, такие как DRAM и SRAM, записывающие информацию в диапазоне 1–10 наносекунд (напомним, что наносекунда в тысячу раз длиннее пикосекунды). Кроме того, PoX, как и флеш-память, сохраняет данные при отключении питания, что делает ее высокоэффективной.
Эта технология открывает возможности для разработки быстродействующих систем хранения информации, особенно актуальных для устройств с функциональностью искусственного интеллекта, которые требуют оперативной и энергонезависимой памяти. PoX имеет потенциал стать основой следующего поколения систем хранения данных.
Источник: iXBT
