Компании Globalfoundries и SiFive объявили, что разрабатывают решение, которое позволит оснащать высокоскоростной памятью HBM2E однокристальные системы, рассчитанные на выпуск с применением недавно представленного Globalfoundries техпроцесса 12LP+. Этот техпроцесс построен на использовании транзисторов FinFET и оптимизирован по критерию энергопотребления продукции. Интеграция будет обеспечиваться с помощью технологии объемной компоновки 2.5D. Предполагается, что однокристальные системы с памятью HBM2E будут востребованы в задачах искусственного интеллекта.
Основой разработки является настраиваемый интерфейс памяти SiFive с высокой пропускной способностью, оптимизированный для платформ 12LP и 12LP+. Разработчикам будет предоставлен доступ к портфелю IP-ядер SiRive RISC-V и экосистеме DesignShare IP, что позволит воспользоваться преимуществами оптимизации, повысить эффективность проектирования и с минимальными затратами выпускать различные варианты SoC.
Разработку планируется завершить в первом полугодии 2020 года.
Источник: iXBT
