Российские ученые создали транзисторы толщиной 0,65 нм в обход кремниевой технологии
Исследователи из Московского физико-технического института (МФТИ) первыми в стране создали отечественную методику производства транзисторов на базе дисульфида молибдена. Этот уникальный двумерный полупроводник заслуженно рассматривается экспертами как ключевой преемник кремния в микроэлектронике грядущего поколения. Изображение сгенерировано Gemini Ключевой козырь инновационного материала кроется в его экстремально малой толщине. В то время как передовые кремниевые чипы опираются на...









