Уже в следующем году индустрия начнёт масштабный переход на DDR6, и Samsung продемонстрировала первые микросхемы, открывающие эту волну.
Речь идёт о мобильных модулях LPDDR6-10700, чья производительность превосходит LPDDR5 примерно на 21%. Изготовление будет вестись по 12-нанометровому техпроцессу.
Увеличенная пропускная способность оперативной памяти ускорит не только общую работу устройств, но и встроенную графику (iGPU), особенно чувствительную к скорости ОЗУ.
Кроме того, Samsung рассказала о грядущем SSD формата M.2 22×42 под индексом PM9E1, ориентированном на системных интеграторов.
Накопитель поддерживает интерфейс PCIe 5.0, достигая 14,8 ГБ/с на запись и 13,4 ГБ/с на чтение. В ассортименте появятся варианты ёмкостью до 4 ТБ, основанные на контроллере Samsung Presto и новом V8 TLC V-NAND.
Полная презентация всех новинок запланирована на CES 2026.
Источник: iXBT
