Технологический гигант Samsung официально подтвердил запуск серийного производства и начало коммерческих отгрузок инновационной памяти стандарта HBM4. Компания закрепила за собой статус отраслевого лидера, став первым производителем, успешно трансформировавшим данную технологию в готовый рыночный продукт. Ключевым преимуществом новинки стало внедрение передового 4-нанометрового техпроцесса для логического слоя в сочетании с DRAM-чипами шестого поколения (класса 1c). Это позволило достичь беспрецедентного уровня производительности без необходимости радикальной переработки архитектуры.
Скоростные показатели памяти варьируются от 11,7 до 13 Гбит/с, а суммарная пропускная способность достигла впечатляющих 3,3 ТБ/с на один стек, что в 2,7 раза превышает возможности решений предыдущего поколения HBM3E. Столь значительный скачок характеристик критически важен для ликвидации «узких мест» при обучении масштабных нейросетей и языковых моделей ИИ. Примечательно, что, несмотря на двукратное увеличение числа контактов ввода-вывода (с 1024 до 2048), разработчикам удалось повысить энергоэффективность системы на 40%.
На текущем этапе Samsung предлагает 12-слойные решения объемом 24 и 36 ГБ, а в ближайшей перспективе запланирован выпуск 16-слойных модификаций емкостью 48 ГБ.
Аналитики компании прогнозируют экспоненциальный рост спроса на данный тип памяти: ожидается, что к 2026 году объем реализации HBM вырастет более чем в три раза по сравнению с показателями 2025 года. Параллельно с масштабированием текущего производства, Samsung намерена начать тестирование образцов усовершенствованной версии HBM4E во второй половине 2026 года, а с 2027 года — приступить к выпуску специализированных чипов, адаптированных под индивидуальные запросы заказчиков.
Источник: iXBT
