Компания Samsung Electronics воспользовалась конференцией Nvidia GTC 2019, чтобы объявить о выпуске новой памяти с высокой пропускной способностью (High Bandwidth Memory) — HBM2E. Как утверждается, эта память обеспечит «высочайшие уровни производительности DRAM». Она предназначена для суперкомпьютеров следующего поколения, центров обработки данных, графических систем и приложений искусственного интеллекта.
Первая в отрасли реализация HBM2E получила название Flashbolt. Она поддерживает скорость передачи данных 3,2 Гбит/с в расчете на вывод, что на 33% выше быстрее, чем у памяти HBM2 предыдущего поколения. Плотность Flashbolt — 16 Гбит на кристалл, что вдвое больше, чем у HBM2. Благодаря этим улучшениям одна сборка Samsung HBM2E может обеспечить пропускную способность 410 Гбит/с и объем 16 ГБ.
Источник: iXBT
