В настоящее время растет спрос на мощные полупроводниковые приборы для управления/снижения энергопотребления во всех видах электронного оборудования и достижения углеродно-нейтральных целей, а также на электрификацию транспортных средств и автоматизацию промышленного оборудования. При этом очень велик спрос на низковольтные МОП полевые транзисторы (MOSFET), и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) и т.д.
В соответствии с этим корпорация Toshiba уже расширила существующие мощности по обработке 200-мм пластин, а также перенесла начало производства мощных приборов на 300-мм пластинах на существующих предприятиях с I половины 2023 фин. г. на II половину 2022 фин. г. Кроме того, Toshiba намерена построить новый завод по обработке 300-мм пластин и производству мощных полупроводниковых приборов в префектуре Исикава. Начало производства 1-й очереди — 2024 фин. г. Она увеличит мощности Toshiba по производству силовых приборов в 2,5 раза по сравнению с 2021 фин. г.
Больше новостей на телеграмм канале Зарубежная электроника.
Toshiba to Expand Power Semiconductor Production Capacity With 300-Millimeter Wafer Fabrication Facility. Semiconductor Digest, February 4, 2022
