<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss version="2.0"
	xmlns:media="http://search.yahoo.com/mrss/"
	xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/"
	xmlns:wfw="http://wellformedweb.org/CommentAPI/"
	xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/"
	xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom"
	xmlns:sy="http://purl.org/rss/1.0/modules/syndication/"
	xmlns:slash="http://purl.org/rss/1.0/modules/slash/"
	>

<channel>
	<title>mram | SE7EN.ws</title>
	<atom:link href="https://se7en.ws/tag/mram/feed/" rel="self" type="application/rss+xml" />
	<link>https://se7en.ws</link>
	<description>Медиа-портал - компьютерные игры, фильмы, музыка, сообщества, игровые события.</description>
	<lastBuildDate>Sun, 19 Dec 2021 10:14:00 +0000</lastBuildDate>
	<language>ru-RU</language>
	<sy:updatePeriod>
	hourly	</sy:updatePeriod>
	<sy:updateFrequency>
	1	</sy:updateFrequency>
	

<image>
	<url>https://se7en.ws/wp-content/uploads/2024/07/se7en-icon-150x150.png</url>
	<title>mram | SE7EN.ws</title>
	<link>https://se7en.ws</link>
	<width>32</width>
	<height>32</height>
</image> 
	<item>
		<title>Разработанные Renesas технологии записи во встроенную память STT-MRAM позволяют значительно снизить энергопотребление микроконтроллеров в приложениях IoT</title>
		<link>https://se7en.ws/razrabotannye-renesas-tehnologii-zapisi-vo-vstroennuyu-pamyat-stt-mram-pozvolyayut-znachitelno-snizit-energopotreblenie-mikrokontrollerov-v-prilozheniyah-iot/</link>
					<comments>https://se7en.ws/razrabotannye-renesas-tehnologii-zapisi-vo-vstroennuyu-pamyat-stt-mram-pozvolyayut-znachitelno-snizit-energopotreblenie-mikrokontrollerov-v-prilozheniyah-iot/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Sun, 19 Dec 2021 10:14:00 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[renesas]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/razrabotannye-renesas-tehnologii-zapisi-vo-vstroennuyu-pamyat-stt-mram-pozvolyayut-znachitelno-snizit-energopotreblenie-mikrokontrollerov-v-prilozheniyah-iot/</guid>

					<description><![CDATA[<p>В рамках международной конференции IEDM 2021 которая прошла на этой неделе компания Renesas Electronics объявила о разработке двух технологий, которые сокращают время подачи напряжения при операции записи в магниторезистивную память с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента (STT-MRAM). Как утверждается, в связи с ускоренным распространением IoT в последние годы возник большой спрос на...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/razrabotannye-renesas-tehnologii-zapisi-vo-vstroennuyu-pamyat-stt-mram-pozvolyayut-znachitelno-snizit-energopotreblenie-mikrokontrollerov-v-prilozheniyah-iot/">Разработанные Renesas технологии записи во встроенную память STT-MRAM позволяют значительно снизить энергопотребление микроконтроллеров в приложениях IoT</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/razrabotannye-renesas-tehnologii-zapisi-vo-vstroennuyu-pamyat-stt-mram-pozvolyayut-znachitelno-snizit-energopotreblenie-mikrokontrollerov-v-prilozheniyah-iot/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://media.se7en.ws/img/x780x600/n1/news/2021/11/0/IEDM2021_w1078_v2_large.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти</title>
		<link>https://se7en.ws/vspomnit-vsyo-razbiraemsya-v-poluprovodnikovoy-pamyati/</link>
					<comments>https://se7en.ws/vspomnit-vsyo-razbiraemsya-v-poluprovodnikovoy-pamyati/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Tue, 29 Dec 2020 15:03:20 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Научно-популярное]]></category>
		<category><![CDATA[DRAM]]></category>
		<category><![CDATA[eeprom]]></category>
		<category><![CDATA[fram]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[pcm]]></category>
		<category><![CDATA[sram]]></category>
		<category><![CDATA[SSD]]></category>
		<category><![CDATA[память]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/vspomnit-vsyo-razbiraemsya-v-poluprovodnikovoy-pamyati/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти оценивается в 110 миллиардов долларов и является постоянной головной болью участников и инвесторов, потому что,...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/vspomnit-vsyo-razbiraemsya-v-poluprovodnikovoy-pamyati/">Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/vspomnit-vsyo-razbiraemsya-v-poluprovodnikovoy-pamyati/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://habrastorage.org/getpro/habr/upload_files/05b/8be/25b/05b8be25b9b167fdc500cd893d8b4a76" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм</title>
		<link>https://se7en.ws/everspin-i-globalfoundries-prodlili-soglashenie-o-sovmestnoy-razrabotke-mram-do-norm-12-nm/</link>
					<comments>https://se7en.ws/everspin-i-globalfoundries-prodlili-soglashenie-o-sovmestnoy-razrabotke-mram-do-norm-12-nm/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Fri, 13 Mar 2020 00:13:00 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/everspin-i-globalfoundries-prodlili-soglashenie-o-sovmestnoy-razrabotke-mram-do-norm-12-nm/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Компания Everspin Technologies сообщила о дополнении соглашения с GlobalFoundries (GF), предусматривающего совместную разработку магниторезистивной памяти с переносом момента (Spin-Transfer Torque MRAM или STT-MRAM). Компании Everspin и GF выступали партнерами по разработке и производству STT-MRAM по нормам 40 нм, 28 нм и 22 нм. Дополнение к соглашению продлевает его на этап 12 нм. Сейчас GF занимается...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/everspin-i-globalfoundries-prodlili-soglashenie-o-sovmestnoy-razrabotke-mram-do-norm-12-nm/">Everspin и GlobalFoundries продлили соглашение о совместной разработке MRAM до норм 12 нм</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/everspin-i-globalfoundries-prodlili-soglashenie-o-sovmestnoy-razrabotke-mram-do-norm-12-nm/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://media.se7en.ws/img/x780/n1/news/2020/2/5/Spin_Torque_MRAM_tech_header_0_large.png" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>У Globalfoundries готова для производства первая в отрасли память eMRAM на платформе 22FDX для IoT и автомобильной промышленности</title>
		<link>https://se7en.ws/u-globalfoundries-gotova-dlya-proizvodstva-pervaya-v-otrasli-pamyat-emram-na-platforme-22fdx-dlya-iot-i-avtomobilnoy-promyshlennosti/</link>
					<comments>https://se7en.ws/u-globalfoundries-gotova-dlya-proizvodstva-pervaya-v-otrasli-pamyat-emram-na-platforme-22fdx-dlya-iot-i-avtomobilnoy-promyshlennosti/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Sat, 29 Feb 2020 15:24:00 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[GlobalFoundries]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/u-globalfoundries-gotova-dlya-proizvodstva-pervaya-v-otrasli-pamyat-emram-na-platforme-22fdx-dlya-iot-i-avtomobilnoy-promyshlennosti/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Компания Globalfoundries (GF) объявила о выпуске встроенной магниторезистивной энергонезависимой памяти (eMRAM) на фирменной 22-нанометровой технологической платформе FD-SOI (22FDX). Контрактный производитель полупроводниковой продукции уже работает с несколькими клиентами, которые выбрали эту eMRAM для интеграции в свои изделия. Они должны быть переданы в производство в текущем году. По словам GF, это значительная веха для отрасли. Она показывает...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/u-globalfoundries-gotova-dlya-proizvodstva-pervaya-v-otrasli-pamyat-emram-na-platforme-22fdx-dlya-iot-i-avtomobilnoy-promyshlennosti/">У Globalfoundries готова для производства первая в отрасли память eMRAM на платформе 22FDX для IoT и автомобильной промышленности</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/u-globalfoundries-gotova-dlya-proizvodstva-pervaya-v-otrasli-pamyat-emram-na-platforme-22fdx-dlya-iot-i-avtomobilnoy-promyshlennosti/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://media.se7en.ws/img/x780/n1/news/2020/1/6/glofo_large.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>Представлена первая в мире микросхема памяти Toggle MRAM объемом 32 Мбит</title>
		<link>https://se7en.ws/predstavlena-pervaya-v-mire-mikroskhema-pamyati-toggle-mram-obemom-32-mbit/</link>
					<comments>https://se7en.ws/predstavlena-pervaya-v-mire-mikroskhema-pamyati-toggle-mram-obemom-32-mbit/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Wed, 30 Oct 2019 08:12:00 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[everspin]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/predstavlena-pervaya-v-mire-mikroskhema-pamyati-toggle-mram-obemom-32-mbit/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Компания Everspin Technologies, ведущий разработчик и производитель энергонезависимой магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM), анонсировала первую в мире микросхему Toggle MRAM объемом 32 Мбит. Эта микросхема, получившая обозначение MR5A16A, вдвое вместительнее уже выпускаемой микросхемы объемом 16 Мбит. Она предназначена для хранения конфигураций и настроек, а также для ведения журналов во встроенных системах. К достоинствам MR5A16A...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/predstavlena-pervaya-v-mire-mikroskhema-pamyati-toggle-mram-obemom-32-mbit/">Представлена первая в мире микросхема памяти Toggle MRAM объемом 32 Мбит</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/predstavlena-pervaya-v-mire-mikroskhema-pamyati-toggle-mram-obemom-32-mbit/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://media.se7en.ws/img/x780/n1/news/2019/9/3/Everspin_Toggle_MRAM.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>UMC получает доступ к технологиям производства встраиваемой памяти MRAM</title>
		<link>https://se7en.ws/umc-poluchaet-dostup-k-tekhnologiyam-proizvodstva-vstraivaemoy-pamyati-mram/</link>
					<comments>https://se7en.ws/umc-poluchaet-dostup-k-tekhnologiyam-proizvodstva-vstraivaemoy-pamyati-mram/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Wed, 08 Aug 2018 13:22:31 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[umc]]></category>
		<category><![CDATA[производство микросхем]]></category>
		<category><![CDATA[техпроцессы]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/umc-poluchaet-dostup-k-tekhnologiyam-proizvodstva-vstraivaemoy-pamyati-mram/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Третий в мире по величине контрактный производитель полупроводников тайваньская компания United Microelectronics Corporation (UMC) сообщил о заключении технологического партнёрства с американским разработчиком энергонезависимой памяти STT-MRAM (Spin Transfer Torque Magnetic RAM) компанией Avalanche Technology. Согласно договору, UMC сможет выпускать для заказчиков контроллеры и SoC с памятью MRAM на основе доступных по стоимости пакетов лицензирования Avalanche. За...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/umc-poluchaet-dostup-k-tekhnologiyam-proizvodstva-vstraivaemoy-pamyati-mram/">UMC получает доступ к технологиям производства встраиваемой памяти MRAM</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/umc-poluchaet-dostup-k-tekhnologiyam-proizvodstva-vstraivaemoy-pamyati-mram/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2018/08/08/973680/UMC-FAB8C.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>GlobalFoundries предлагает эталонные 22-нм контроллеры с eMRAM</title>
		<link>https://se7en.ws/globalfoundries-predlagaet-yetalonnye-22-nm-kontrollery-s-emram/</link>
					<comments>https://se7en.ws/globalfoundries-predlagaet-yetalonnye-22-nm-kontrollery-s-emram/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Mon, 05 Mar 2018 05:21:50 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[GlobalFoundries]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[производство микросхем]]></category>
		<category><![CDATA[энергонезависимая память]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/globalfoundries-predlagaet-yetalonnye-22-nm-kontrollery-s-emram/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Многолетнее партнёрство компании GlobalFoundries и разработчика магниторезистивной памяти eMRAM и MRAM компании Everspin Technologies уже вылилось в производство 40-нм чипов энергонезависимой памяти типа ST MRAM (Spin-Torque MRAM). На линиях GlobalFoundries выпускаются массовые 256-Мбит 40-нм микросхемы ST MRAM и опытные 1-Гбит 28-нм чипы. Для производства памяти Everspin используются обычные пластины из монолитного кремния. На следующем этапе...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/globalfoundries-predlagaet-yetalonnye-22-nm-kontrollery-s-emram/">GlobalFoundries предлагает эталонные 22-нм контроллеры с eMRAM</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/globalfoundries-predlagaet-yetalonnye-22-nm-kontrollery-s-emram/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2018/03/02/966475/y6gct1u9.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI</title>
		<link>https://se7en.ws/samsung-pervoy-priblizilas-k-vypusku-28-nm-emram-na-podlozhkakh-fd-soi/</link>
					<comments>https://se7en.ws/samsung-pervoy-priblizilas-k-vypusku-28-nm-emram-na-podlozhkakh-fd-soi/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Wed, 27 Sep 2017 05:37:59 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[GlobalFoundries]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[samsung electronics]]></category>
		<category><![CDATA[производство микросхем]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/samsung-pervoy-priblizilas-k-vypusku-28-nm-emram-na-podlozhkakh-fd-soi/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Все предыдущие годы главными шагами по развитию производства полупроводников оставалась смена масштаба технологических норм. Сегодня, когда уменьшить размер элемента на кристалле становится предельно трудно, популярность обретают обходные пути, в частности, переход на полупроводниковые пластины с изолирующим слоем из полностью обеднённого кремния или FD-SOI. Пластины FD-SOI в производстве уже активно использует компания STMicroelectronics и готовятся использовать...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/samsung-pervoy-priblizilas-k-vypusku-28-nm-emram-na-podlozhkakh-fd-soi/">Samsung первой приблизилась к выпуску 28-нм eMRAM на подложках FD-SOI</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/samsung-pervoy-priblizilas-k-vypusku-28-nm-emram-na-podlozhkakh-fd-soi/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2017/09/26/959060/samsung-elecs.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>GlobalFoundries готовится выпускать 22-нм контроллеры с памятью eMRAM</title>
		<link>https://se7en.ws/globalfoundries-gotovitsya-vypuskat-22-nm-kontrollery-s-pamyatyu-emram/</link>
					<comments>https://se7en.ws/globalfoundries-gotovitsya-vypuskat-22-nm-kontrollery-s-pamyatyu-emram/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Fri, 22 Sep 2017 07:06:07 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[GlobalFoundries]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[контроллеры]]></category>
		<category><![CDATA[производство микросхем]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/globalfoundries-gotovitsya-vypuskat-22-nm-kontrollery-s-pamyatyu-emram/</guid>

					<description><![CDATA[<p>На сегодня наибольшего прогресса в деле освоения производства такого нового типа энергонезависимой памяти, как MRAM (магниторезистивная память), добилась компания GlobalFoundries. В октябре 2014 года GlobalFoundries заключила договор на внедрение в производство памяти ST MRAM (Spin-Torque MRAM), которую разработала компания Everspin Technologies. Это память с записью данных в ячейку с помощью переноса спина электрона на основе...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/globalfoundries-gotovitsya-vypuskat-22-nm-kontrollery-s-pamyatyu-emram/">GlobalFoundries готовится выпускать 22-нм контроллеры с памятью eMRAM</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/globalfoundries-gotovitsya-vypuskat-22-nm-kontrollery-s-pamyatyu-emram/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2017/09/21/958843/mram2.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
		<item>
		<title>TSMC займётся производством микрочипов памяти eMRAM и eRRAM</title>
		<link>https://se7en.ws/tsmc-zaymyotsya-proizvodstvom-mikrochipov-pamyati-emram-i-erram/</link>
					<comments>https://se7en.ws/tsmc-zaymyotsya-proizvodstvom-mikrochipov-pamyati-emram-i-erram/#respond</comments>
		
		<dc:creator><![CDATA[news]]></dc:creator>
		<pubDate>Tue, 06 Jun 2017 06:30:27 +0000</pubDate>
				<category><![CDATA[Техника и IT]]></category>
		<category><![CDATA[mram]]></category>
		<category><![CDATA[rram]]></category>
		<category><![CDATA[tsmc]]></category>
		<category><![CDATA[микрочип]]></category>
		<category><![CDATA[память]]></category>
		<category><![CDATA[производство]]></category>
		<category><![CDATA[производство микросхем]]></category>
		<guid isPermaLink="false">https://se7en.ws/tsmc-zaymyotsya-proizvodstvom-mikrochipov-pamyati-emram-i-erram/</guid>

					<description><![CDATA[<p>Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), по информации сетевых источников, намерена организовать производство чипов памяти нового поколения. Речь идёт об изделиях MRAM и RRAM для встраиваемых устройств. Напомним, что MRAM &#8212; это магниторезистивная память с произвольным доступом: информация в данном случае хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Что касается RRAM, то это резистивная...</p>
<p>The post <a href="https://se7en.ws/tsmc-zaymyotsya-proizvodstvom-mikrochipov-pamyati-emram-i-erram/">TSMC займётся производством микрочипов памяти eMRAM и eRRAM</a> first appeared on <a href="https://se7en.ws">SE7EN.ws</a>.</p>]]></description>
		
					<wfw:commentRss>https://se7en.ws/tsmc-zaymyotsya-proizvodstvom-mikrochipov-pamyati-emram-i-erram/feed/</wfw:commentRss>
			<slash:comments>0</slash:comments>
		
		
		<media:content url="https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2017/06/05/953406/tsmc1.jpg" medium="image"></media:content>
            	</item>
	</channel>
</rss>
