Это первый продукт такого плана на рынке.
Южнокорейский производитель SK Hynix объявил об успешной разработке памяти HBM нового поколения. Она обеспечивает более высокую пропускную способность при сокращённом энергопотреблении и существенно меньших габаритах по сравнению с DDR5 или GDDR6.
Модуль способен обрабатывать до 819 ГБ данных в секунду, что эквивалентно передаче 163 фильмов в разрешении FullHD (по 5 ГБ каждый). Это на 78% быстрее текущего интерфейса HBM2E. В устройстве также предусмотрен код коррекции ошибок.
По заявлению Hynix, HBM3 превосходит существующие аналоги не только по скорости, но и по ёмкости. Память будет поставляться в двух версиях: на 16 ГБ и 24 ГБ. Чтобы достичь таких показателей инженеры оптимизировали высоту модуля до 30 микрометров (треть толщины бумаги формата A4). В стек объединили 12 микросхем DRAM с помощью сквозных кремниевых межсоединений.
Многослойная память зачастую используется в производительных графических ускорителях (например, в NVIDIA A100). Компания также позиционирует её для центров обработки данных и платформ машинного обучения. Дата выхода и стоимость пока не раскрываются.
