Группа специалистов из лаборатории функциональных материалов и устройств для наноэлектроники МФТИ, работая совместно с коллегами из Германии и США, совершила прорыв на пути к созданию новой энергонезависимой памяти.
Учетным из МФТИ удалось разработать уникальную методику измерения распределения электрического потенциала внутри так называемого сегнетоэлектрического конденсатора, который является ключевым элементом перспективной энергонезависимой памяти, и опробовать ее на сегнетоэлектрических конденсаторах, изготовленных в МФТИ. Ранее исследователи оперировали только математическими моделями.
Ожидается, что новая память будет на порядок быстрее флеш-памяти, а по ресурсу превзойдет ее миллион раз.
Источник: iXBT
