Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства своего первого коммерческого продукта со встроенной магнитной памятью с произвольной выборкой (eMRAM) на основе 28-нанометрового технологического процесса 28FDS, построенного на использовании полностью обедненного кремния на изоляторе (FD-SOI).
По словам Samsung, встраиваемой флэш-памяти (eFlash) присуще ограничение масштабируемости из-за того, что в основе лежит хранение заряда. Память eMRAM, работа которой основана на сопротивлении, выглядит многообещающим преемником eFlash, поскольку обеспечивает высокую масштабируемость и обладает такими достоинствами, как энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокая износостойкость.
Представленное Samsung решение eMRAM обладает беспрецедентными преимуществами над eFlash по скорости и энергопотреблению при более низкой стоимости. Поскольку память eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных, скорость ее записи примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash. Кроме того, eMRAM использует более низкие напряжения, чем eFlash.
Еще одним достоинством eMRAM является простая интеграция, требующая добавления меньшего количества слоев. Это значит, что заказчики могут повторно использовать существующую инфраструктуру проектирования, снижая затраты.
Ожидается, что память eMRAM, рассчитанная на изготовление по техпроцессу 28FD-SOI, найдет применение в микроконтроллерах, микросхемах для интернета вещей и искусственного интеллекта.
В течение года Samsung рассчитывает довести плотность eMRAM до 1 ГБ.
Источник: iXBT
