Выступая на Североамериканском технологическом симпозиуме, TSMC раскрыла планы на грядущие три года. Компания планирует начать переход на 2-нанометровый техпроцесс уже в 2025 году.
Согласно обновленной дорожной карте, в этом году TSMC будет продолжать наращивать производственные мощности на 3-нанометровом техпроцессе N3 и 4-нанометровых N4P и N4X. В 2024-м TSMC начнет выпуск продукции на улучшенных техпроцессах N3E и N5A. А вот уже в 2025 году тайваньский полупроводниковый гигант перейдет к освоению 2-нанометрового техпроцесса N2, параллельно выпуская продукцию для массового рынка на техпроцессах N3P и N3X. Наконец, в 2026-м передовыми линиями TSMC станут N2P, N2X и N3A.
Сегмент Mainstream отстает от премиальной линии на один год. К 2024-му TSMC будет производить чипы для смартфонов среднего ценового сегмента, базовых станций, сетевых устройств и клиентских продуктов на базе техпроцесса N4P, а в 2026-м — на базе N3P.
Что касается характеристик N2, TSMC обещает увеличение плотности транзисторов в 1,15 раза. Также на 10–15 % вырастет производительность чипов при том же потреблении. Энергоэффективность при той же производительности вырастет на 25–30 %. Также TSMC дала небольшой спойлер — на пластинах N2P шина питания будет располагаться на обратной стороне, а не на той же, где вытравлена основная логика. В теории, такой подход позволит увеличить плотность и количество транзисторов чипе за счет освободившегося пространства.
