MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) – транзистор по технологии металл-оксид-полупроводник с полевым эффектом. Данный тип транзисторов уверенно вошёл в обиход во всех областях применения, как наиболее эффективное решение многих задач. Вы наверняка в курсе, что он применяется в качестве ключей в силовой электронике, причём не только в “чистом” виде, но и в составе IGB-транзисторов. В частности, в вычислительной технике все цепи питания построены на базе MOSFET’ов.
Но статья не о самом транзисторе, материалов по которому очень много, а про его небольшую часть – встроенный диод, который иногда называют защитным, а иногда – паразитным. Данный диод характерен для наиболее распространённых транзисторов с индуцированным каналом (транзисторы со встроенным каналом настолько редки, что я как-то искал пример их существования в природе продаже пару дней).
Изначальная природа данного диода – внутренняя структура самого транзистора. У него имеются области разной проводимости, которые можно рассматривать, как обычный биполярный транзистор, который в свою очередь, как бы состоит из двух диодов. При этом в “правильную” сторону диод можно игнорировать – сопротивление индуцированного канала намного меньше падения напряжения на нём. А вот обратный диод – таки паразит!
Почему этот диод является паразитным? Дело в том, что он проводит ток даже в закрытом состоянии транзистора. Точнее – в диапазоне состояний, когда основной канал уже закрыт и почти не проводит ток. Для схемотехников это является большой головной болью. Одна радость – проводит ток он в “неправильную” сторону, т.е. при штатной эксплуатации транзистора к нему просто не прикладывают напряжение в “неправильную” сторону и он всегда закрыт.
Однако, при коммутации индуктивной нагрузки, типа реле, дросселя или обмоток двигателя всегда возникает обратный выброс напряжения, что связано с ЭДС самоиндукции, которая накапливается в магнитном поле катушки (отдельная тема, если что). То есть – данный диод будет проводить ток этого самого обратного выброса. В 99% случаев это хорошо и погасит паразитный импульс. Но! Данный диод имеет очень “плохие” характеристики – высокое падение на нём напряжения, а значит – высокое сопротивление, что приводит к большому тепловыделению. А тепловыделение может спровоцировать выход транзистора из строя. Отдельно необходимо заметить, что данный диод не очень толерантен к высоким напряжениям, а обратный выброс напряжения, при резком отключении проходящего тока, всегда намного выше номинального напряжения питания данной индуктивности (на чём построены все повышающие DC-DC преобразователи). Что же делать?
Разработчики MOSFET’ов не долго думали и воткнули внутрь самого транзистора ещё один диод, но уже специальный “защитный”, который ставится в ту же сторону, что и паразитный, но имеет уже вполне приличные характеристики. Часто это диод Шотки, у которого низкое падение напряжения (малое сопротивление). В даташитах MOSFET’ов всегда указывают характеристики этого диода. По ним легко определить – является ли диод паразитным или защитным. Если падение напряжения на нём велико (около одного вольта) – диод паразитный, мало (менее полувольта) – защитный.
Ещё пару слов про “неправильный” режим работы MOSFET’а. Существуют топологии, где требуется включить транзистор так, чтобы защитный диод работал в прямом направлении. Например, при коммутации двух источников питания:
Здесь p-канальный MOSFET включен так, чтобы 5 вольт питания не попадали на выход TP4056, что привело бы к отключению батареи от зарядки (связано с особенностями топологии TP4056). Данная схема имеет несколько мелких недостатков, но сейчас не об этом… Если для реализации данной схемы вы выберете транзистор с защитным диодом, то всё будет работать так, как задумано. Но если диод окажется “паразитным” велика вероятность того, что в тот момент, когда исчезнет напряжение на входе блока питания, вы получите “провал” по току, который приведет к перезагрузке вашего ардуино, роутера, или того устройства, что вы пытались от пропадания питания и защитить.
Почему это может произойти? – Питание 5 вольт не исчезнет мгновенно, так как на выходе блока питания имеются ёмкие конденсаторы, что приведёт в плавному снижению напряжения при разряде этих конденсаторов на нагрузку. Условием же открытия p-канального MOSFET’а является отрицательный потенциал относительно стока (S). У разных транзисторов он разный (см. даташит, параметр “V(ts)”), но суть в том, что даже если он не очень велик, мы можем попасть в “мёртвую область”. Например, Vts = -1.5V, а напряжение на источнике питания упало уже до двух вольт, на выходе TP4056, скажем 3.4V (аккумуляторы не успели зарядиться полностью). Т.е. разница напряжений всего 1.4 вольта, чего недостаточно для открытия транзистора, а MT3608 в этом случае уже не сможет обеспечивать работу нагрузки. Если нет диода, который пропустит ток “мимо” транзистора. Если мы имеем “защитный” диод, то он отработает корректно, падение напряжение на нём невелико, и нагрузка будет в порядке, а вот паразитный диод “скушает” добрый вольт и повышайка (MT3608) уже не сможет корректно работать.
Надеюсь, что изложил всё понятно, и оно было вам полезно.
