Infineon вложит более 2 млрд евро в создание 3-го модуля производственного комплекса в г. Кулим (Малайзия). Там на 300-мм пластинах будут производить SiC и GaN мощные полупроводниковые приборы с широкой запрещенной зоной. Два существующих модуля по обработке 150-мм и 200-мм кремниевых пластин также будут переориентированы на производство SiC и GaN мощных ИС. Новый модуль укрепит позиции Infineon в области 300-мм производств, дополнив линии в Филлахе (Австрия) и Дрездене (ФРГ). Оснащение оборудованием начнется в 2024 г., численность персонала составит 900 человек.
Предполагается, что ежегодные доходы 3-го модуля с 2025 г. составят более 2 млрд долл., из них SiC приборы – 1,0 млрд долл., а GaN приборы – 801 млн долл. Их основными областями применения являются промышленное электроснабжение, фотоэлектрика, транспорт, приводы, автомобильная электроника и средства зарядки электромобилей.
Больше новостей в телеграмм канале Зарубежная электроника.
