IBM представила чип с транзисторами GAAFET 2нм

Что означает эта новость для отрасли микроэлектроники и для нас, как конечных потребителей изделий на базе современных чипов.

Плотность размещения таких транзисторов на пластине может достигать 333 мТр/кв.мм (миллионов транзисторов на 1 кв.мм). Для сравнения – лучший на сегодня серийно применяемый техпроцесс N5 тайваньской TSMC обеспечивает плотность лишь 170 мТр/кв.мм. То есть выигрыш планируется примерно вдвое, что означает, что в составе микропроцессора можно будет ожидать порядка 50 млрд транзисторов. Такой уровень сложности означает возможность создания значительно более мощных микропроцессоров, чем доступные сегодня.

Основное, что можно ожидать от новых микропроцессоров на базе транзисторов новой архитектуры – рост производительности, в IBM обещают +45% относительно сегодняшнего уровня. Не менее важно снижение энергопотребления на 75% от сегодняшних значений – обе цифры приведены в сравнении с чипами по процессу 7нм.
К сожалению, для того, чтобы научиться применять новую архитектуру придется создавать и осваивать новые средства автоматизированного проектирования.

В серию все эти техно чудеса пойдут не ранее 4q2024, не так уж скоро. Так что раньше нам еще придется иметь дело с чипами, которые научатся выпускать по технологии 4нм и 3нм.

К России все это будет иметь, вероятно, слабое отношение. Фабрика по производству чипов на основе техпроцесса IBM 2нм обойдется в сумму порядка $50 млрд. Построить такую фабрику могут себе позволить лишь несколько стран в мире, в частности, Тайвань, Южная Корея, США и, возможно, Китай – последнее, впрочем, под вопросом, учитывая политическую ситуацию и то, что пока что эта страна по части технологий в области микроэлектроники отстает от передовиков в этой области. Для того, чтобы эта фабрика окупилась, нужен глобальный спрос, в условиях изоляции окупить ее не получится.

GAAFET – от англ. gate-all-around FET – архитектура, которую разрабатывают с 2000 года, которая должна сменить используемую сегодня в чипах 5нм и 7нм FinFET. В январе 2020 года Samsung сообщал о первых успехах в разработке GAAFET по техпроцессу 3нм.

Telegram-канал с новостями микроэлектроники – @RUSmicro

 

Источник

Читайте также

Меню