Конструкция позволяет удвоить производительность системы, либо снизить энергопотребление на 85%.
IBM и Samsung объявили о разработке новой технологии компоновки чипов на основе вертикальных полевых транзисторов (VTFET). Анонс состоялся на полупроводниковой конференции IEDM, открывшейся в Сан-Франциско.
В отличие от большинства микросхем, в которых транзисторы располагаются горизонтально, разработанная конструкция подразумевает размещение элементов на кристалле друг над другом — с соответствующим движением электрического тока.
Инженеры отмечают как минимум два преимущества такой компоновки. Во-первых, она позволяет обойти существующие ограничения производительности и в перспективе преодолеть рубеж в 1-нм.
Во-вторых, вертикальная структура практически исключает коллапс тока в системе, а также повышает скорость переключения и термическую стойкость. В результате, транзисторы VTFET демонстрируют в два раза большую производительность и потребляют на 85% меньше энергии, по сравнению с традиционными FinFET.
Разработчики привели ряд примеров — технология способна увеличить время автономной работы смартфонов в несколько раз или сделать некоторые ресурсоёмкие задачи (например, майнинг криптовалют) более энергоэффективными и, следовательно, менее вредными для окружающей среды.
IBM и Samsung не сообщили о сроках внедрения технологического процесса, но это не единственные компании, которые пытаются оптимизировать конструкцию и преодолеть барьер в 1-нм. Так, Intel к 2024 году планирует перейти с «нанометров» на «ангстремы» с помощью узла Intel 20A и транзисторов RibbonFET.
